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在少层2-D材料中的子带间跃迁的纳米成像

吉祥体育 半导体异质结构是电子和光电子学发展的关键。红外和太赫兹频率范围中的许多应用利用半导体量子阱中的量子化状态之间的跃迁(称为子带间跃迁)。这些带内转换表现出非常大的振荡器强度,接近于单位。他们在III-V半导体异质结构中的发现描绘了凝聚态物理学界的巨大影响,并引发了量子阱红外光电探测器以及量子级联激光器的发展。

通常通过分子束外延(结晶层的顺序生长)吉祥体育wellbet 制造最高质量的量子阱,这是一种成熟的技术。然而,它有两个主要限制:需要进行晶格匹配,限制材料的自由选择,热生长导致原子扩散并增加界面粗糙度。

2D材料可以克服这些限制,因为它们自然地形成具有原子级锐利界面的量子阱。它们提供无缺陷和原子级清晰的界面,能够形成理想的QW,没有扩散的不均匀性。它们不需要在匹配的衬底上外延生长,吉祥体育官网 因此可以容易地隔离并耦合到其他电子系统,例如Si CMOS或光学系统,例如腔和波导。